長(zhǎng)江存儲(chǔ)在 3D NAND 領(lǐng)域領(lǐng)先三星、美光的挑戰(zhàn)

長(zhǎng)江存儲(chǔ)在 3D NAND 領(lǐng)域領(lǐng)先三星、美光的挑戰(zhàn)

據(jù)行業(yè)分析師稱(chēng)，中國(guó)長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限公司 (YMTC) 憑借全球首個(gè) 200 層以上的 3D NAND 閃存對(duì)三星和美光等更大競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的新領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)可能會(huì)瓦解。

根據(jù)研究公司TechInsights的一份報(bào)告，初創(chuàng)內(nèi)存制造商長(zhǎng)江存儲(chǔ)已超越競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。分析師表示，該公司不太可能保持領(lǐng)先地位。在 2016 年成立僅兩年后，長(zhǎng)江存儲(chǔ)就宣布了其 Xtacking 技術(shù)，在該技術(shù)下，處理數(shù)據(jù) I/O 的外圍電路以及存儲(chǔ)單元操作都在一個(gè)硅晶圓上處理。然后，完成的陣列晶圓通過(guò)數(shù)十億個(gè)金屬通孔與另一個(gè)包含存儲(chǔ)單元的晶圓連接。

Objective Analysis 的分析師 Jim Handy 表示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)成本高昂的技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)使得該公司難以實(shí)現(xiàn)盈利，并增加了對(duì)中國(guó)政府支持的依賴(lài)。“我一直想知道構(gòu)建在兩個(gè)晶圓上的東西如何與構(gòu)建在單個(gè)晶圓上的相同芯片尺寸的東西競(jìng)爭(zhēng)，”Handy說(shuō)。“鑒于長(zhǎng)江存儲(chǔ)不需要盈利，這可能會(huì)奏效一段時(shí)間?！?/span>

他補(bǔ)充說(shuō)，作為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)的龍頭企業(yè)之一，長(zhǎng)江存儲(chǔ)可能會(huì)繼續(xù)獲得中國(guó)政府的補(bǔ)貼。

分析師在他們的報(bào)告中表示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)幾乎不可能保持其步伐：“前沿的研發(fā)成本不是線性的；隨著技術(shù)的進(jìn)步，研發(fā)成本會(huì)成倍增加以達(dá)到下一代。長(zhǎng)江存儲(chǔ)沒(méi)有產(chǎn)生足夠的收入來(lái)支持不斷增加的開(kāi)發(fā)成本?！?

分析師表示，在與美國(guó)的技術(shù)戰(zhàn)爭(zhēng)限制長(zhǎng)江存儲(chǔ)獲得先進(jìn)半導(dǎo)體工具的過(guò)程中，這家中國(guó)公司還將面臨專(zhuān)利糾紛和制裁，嚴(yán)重阻礙了該公司的發(fā)展。

“我預(yù)計(jì)美國(guó)和中國(guó)之間的某個(gè)時(shí)候會(huì)出現(xiàn)專(zhuān)利法對(duì)峙，”Handy 說(shuō)。“長(zhǎng)江存儲(chǔ)面臨的另一個(gè)挑戰(zhàn)是，他們必須阻止他們的芯片進(jìn)入美國(guó)，以避免專(zhuān)利訴訟。專(zhuān)利法對(duì)‘制造、使用或銷(xiāo)售’侵犯專(zhuān)利產(chǎn)品的公司進(jìn)行監(jiān)管，因此在美國(guó)銷(xiāo)售使用侵權(quán)芯片的系統(tǒng)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)客戶可能會(huì)受到專(zhuān)利訴訟?！?

據(jù) Handy 稱(chēng)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)及其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手正在爭(zhēng)奪價(jià)值 550 億美元的 3D NAND 市場(chǎng)的大部分份額。在中國(guó)組裝的智能手機(jī)是使用NAND閃存的主要產(chǎn)品之一。中國(guó)擁有世界上最大的智能手機(jī)市場(chǎng)，也為蘋(píng)果和三星組裝手機(jī)。

兩年多前，美國(guó)政府以國(guó)家安全為由制裁中國(guó)電子巨頭華為和中芯國(guó)際，以削弱美國(guó)在 5G 和人工智能領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。這引發(fā)了美國(guó)和中國(guó)之間建立獨(dú)立半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的新競(jìng)爭(zhēng)。美國(guó)在芯片生產(chǎn)設(shè)備、材料和EDA工具方面仍然占據(jù)主導(dǎo)地位，并利用這些優(yōu)勢(shì)限制了中國(guó)在半導(dǎo)體領(lǐng)域的增長(zhǎng)。

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