長江存儲在 3D NAND 領域領先三星、美光的挑戰(zhàn)

長江存儲在 3D NAND 領域領先三星、美光的挑戰(zhàn)

據(jù)行業(yè)分析師稱，中國長江存儲科技有限公司 (YMTC) 憑借全球首個 200 層以上的 3D NAND 閃存對三星和美光等更大競爭對手的新領先優(yōu)勢可能會瓦解。

根據(jù)研究公司TechInsights的一份報告，初創(chuàng)內存制造商長江存儲已超越競爭對手。分析師表示，該公司不太可能保持領先地位。在 2016 年成立僅兩年后，長江存儲就宣布了其 Xtacking 技術，在該技術下，處理數(shù)據(jù) I/O 的外圍電路以及存儲單元操作都在一個硅晶圓上處理。然后，完成的陣列晶圓通過數(shù)十億個金屬通孔與另一個包含存儲單元的晶圓連接。

Objective Analysis 的分析師 Jim Handy 表示，長江存儲成本高昂的技術領先優(yōu)勢使得該公司難以實現(xiàn)盈利，并增加了對中國政府支持的依賴。“我一直想知道構建在兩個晶圓上的東西如何與構建在單個晶圓上的相同芯片尺寸的東西競爭，”Handy說。“鑒于長江存儲不需要盈利，這可能會奏效一段時間?！?/span>

他補充說，作為國內半導體行業(yè)的龍頭企業(yè)之一，長江存儲可能會繼續(xù)獲得中國政府的補貼。

分析師在他們的報告中表示，長江存儲幾乎不可能保持其步伐：“前沿的研發(fā)成本不是線性的；隨著技術的進步，研發(fā)成本會成倍增加以達到下一代。長江存儲沒有產生足夠的收入來支持不斷增加的開發(fā)成本?！?

分析師表示，在與美國的技術戰(zhàn)爭限制長江存儲獲得先進半導體工具的過程中，這家中國公司還將面臨專利糾紛和制裁，嚴重阻礙了該公司的發(fā)展。

“我預計美國和中國之間的某個時候會出現(xiàn)專利法對峙，”Handy 說?！伴L江存儲面臨的另一個挑戰(zhàn)是，他們必須阻止他們的芯片進入美國，以避免專利訴訟。專利法對‘制造、使用或銷售’侵犯專利產品的公司進行監(jiān)管，因此在美國銷售使用侵權芯片的系統(tǒng)的長江存儲客戶可能會受到專利訴訟?！?

據(jù) Handy 稱，長江存儲及其競爭對手正在爭奪價值 550 億美元的 3D NAND 市場的大部分份額。在中國組裝的智能手機是使用NAND閃存的主要產品之一。中國擁有世界上最大的智能手機市場，也為蘋果和三星組裝手機。

兩年多前，美國政府以國家安全為由制裁中國電子巨頭華為和中芯國際，以削弱美國在 5G 和人工智能領域的領先地位。這引發(fā)了美國和中國之間建立獨立半導體供應鏈的新競爭。美國在芯片生產設備、材料和EDA工具方面仍然占據(jù)主導地位，并利用這些優(yōu)勢限制了中國在半導體領域的增長。

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