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臺積電向 1.4 nm工藝節(jié)點轉(zhuǎn)型的投標(biāo)有多真實?

來源: | 發(fā)布日期:2022-07-04

臺積電向 1.4 nm工藝節(jié)點轉(zhuǎn)型的投標(biāo)有多真實? 

大型晶圓廠的競爭對手臺積電和三星代工廠之間的工藝節(jié)點戰(zhàn)又掀起新的漣漪。業(yè)界傳出臺積電在 6 月將其 3 納米制程研發(fā)轉(zhuǎn)為 1.4 納米制程的消息,很可能引發(fā)臺灣領(lǐng)先的純晶圓廠與三星之間的另一輪制程節(jié)點對決。然而,目前尚不清楚這種雄心勃勃的向 1.4 納米工藝幾何結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)換將如何實際工作。

圖 1臺積電多年來一直保持其在納米制造領(lǐng)域的領(lǐng)先地位

圖 1臺積電多年來一直保持其在納米制造領(lǐng)域的領(lǐng)先地位

在過去的幾年里,這兩家代工廠商一直在競相開發(fā)亞 10 納米制造工藝。到目前為止,開發(fā)最小節(jié)點的公告來自三星,該公司公布了 2025 年生產(chǎn) 2 納米工藝芯片的計劃。

這家韓國大型晶圓廠目前正忙于在其新的 3 納米工藝節(jié)點上批量生產(chǎn)芯片,該工藝節(jié)點基于下一代晶體管結(jié)構(gòu),稱為全環(huán)柵極 (GAA)。GAA 制造技術(shù)將大量 MOS 晶體管集成在一個小得多的芯片中。三星將其稱為多橋通道場效應(yīng)晶體管 (MBCFET)。

圖2三星于 2017 年進(jìn)入代工業(yè)務(wù)

圖2三星于 2017 年進(jìn)入代工業(yè)務(wù)

       在這里,值得一提的是英特爾,它在亞 10 納米工藝節(jié)點的晶圓廠競賽中遙遙領(lǐng)先。雖然英特爾目前在較小的工藝節(jié)點上苦苦掙扎,但它計劃通過在 2024 年下半年量產(chǎn) 1.8 納米芯片來趕上 2 納米以下工藝節(jié)點領(lǐng)域。

還值得注意的是,雖然臺積電和三星因其在創(chuàng)建亞 10 納米工藝節(jié)點方面的作用而被認(rèn)為是大型晶圓廠游戲中的主要參與者,但臺積電在實際市場份額方面卻居高不下。根據(jù)臺灣市場研究機(jī)構(gòu) TrendForce 的數(shù)據(jù),臺積電在 2021 年第三季度的市場份額達(dá)到 52.1%,遠(yuǎn)超三星所占據(jù)的 18.3%。

盡管如此,隨著半導(dǎo)體行業(yè)向更小的工藝節(jié)點遷移,太多的風(fēng)險仍然存在,臺積電的負(fù)責(zé)人們知道這一點。

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