3nm晶圓廠競賽：據(jù)報道三星接近終點線

3nm晶圓廠競賽：據(jù)報道三星接近終點線 

就在臺積電在公司 2022 年北美技術研討會上提供其 3 納米工藝節(jié)點的詳細信息幾天后，有報道稱晶圓廠的主要競爭對手三星本周開始其基于 3 納米的芯片制造。臺積電計劃在今年年底開始生產 3 納米。

值得注意的是，雖然臺積電的 3-nm 節(jié)點基于 FinFET 技術，但三星正在為這種工藝幾何轉向采用環(huán)柵 (GAA)技術。GAA 設計允許晶圓廠在不損害其承載電流的能力的情況下縮小晶體管尺寸。另一方面，臺積電的 FinFET 架構（稱為FinFlex）使芯片設計人員能夠實現(xiàn)各種鰭配置，以滿足性能、功率和裸片尺寸目標。

圖 1三星的 3 納米工藝節(jié)點是圍繞 GAA 技術構建的，三星稱之為多橋通道 FET 或 MCBFET。資料來源：三星

       另外值得注意的是，美國總統(tǒng)拜登最近訪問了三星在 Pyenogtaek 的制造工廠，觀看了 3 納米的演示。行業(yè)觀察人士認為，三星可能會在新的 3 納米節(jié)點上制造其 Exynos 2300 芯片，這些芯片將為部分 Galaxy S23 智能手機變體提供動力。

圖 2美國總統(tǒng)喬拜登參觀了三星在平澤附近的旗艦半導體制造工廠，觀看了 3 納米制造技術演示

       行業(yè)觀察家還將密切關注以 3 納米幾何形狀制造的新芯片的良率，尤其是當三星的 4 納米節(jié)點存在多個良率問題時。根據(jù)行業(yè)報告，三星預計其 3-nm 節(jié)點與 5-nm 制造工藝相比，將帶來 35% 的裸片面積減少、30% 的性能提升和 50% 的功耗降低。

       三星在 3 納米技術上處于領先地位是一個有趣的發(fā)展，因為根據(jù)市場研究公司 Gartner 的數(shù)據(jù)，臺積電在 7 納米和 5 納米節(jié)點上占據(jù)了主導市場份額。三星是否會比臺積電早一點開始制造 3 納米芯片，從而獲得顯著收益，這也將是一件有趣的事情。

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