三菱電機在具有經(jīng)典封裝尺寸的碳化硅功率器件中進行縮放

三菱電機在具有經(jīng)典封裝尺寸的碳化硅功率器件中進行縮放。

三菱推出全新碳化硅 (SiC) 功率模塊 FMF400DY-24B，采用行業(yè)標準封裝尺寸的全新設計。

三菱電機美國公司最近推出了一款新型碳化硅 (SiC) 功率模塊 FMF400DY-24B，其中包括一個反并聯(lián)、低 Vf、零恢復損耗的SiC SBD（肖特基勢壘二極管）。該模塊采用行業(yè)標準封裝尺寸 (62mm x 108mm) 的新設計，適用于醫(yī)療電源和一般工業(yè)應用。

400A、1200V雙碳化硅 MOSFET 模塊專為 Vgs(on)=15V 設計，與標準 IGBT 柵極驅(qū)動器兼容，并可整合到現(xiàn)有機械布局中，以便從 Si IGBT 技術輕松升級。

該模塊采用三菱電機的第二代 SiC MOSFET 芯片技術，非常適合需要高開關頻率的應用。與同等額定的 Si IGBT 相比，SiC 模塊可減少約 70% 的功率損耗。

“這個新模塊采用經(jīng)典封裝，內(nèi)部采用最新技術，具有卓越的功能和靈活性，”三菱電機美國功率設備集團高級產(chǎn)品經(jīng)理 Adam Falcsik 說?！癋MF400DY-24B 增加了三菱電機不斷增長的 SiC 產(chǎn)品陣容?！?

除了更高的效率之外，該模塊還符合電氣和電子設備中限制使用某些有害物質(zhì) (RoHS) 指令 2011/65/EU 和 (EU) 2015/863，以滿足關鍵的環(huán)境法規(guī)。該模塊通過為更智能和更可持續(xù)的社會做出貢獻，進一步推進了三菱電機的核心技術愿景。

深圳市晶光華電子有限公司 26年專注提供一站式晶振產(chǎn)品解決方案，產(chǎn)品主要有SMD石英晶振、  車規(guī)晶振 、  SMD振蕩器等。晶光華始終堅持以品質(zhì)為基石，品質(zhì)符合國際IEC和美國ANSI標準。為了滿足客戶的高標準需求，我司積極整合供應鏈，真正服務每一位品質(zhì)客戶。