晶體管分為哪幾類？

晶體管分為哪幾類？

多柵極場效應(yīng)晶體管和鰭場效應(yīng)晶體管

鰭式場效應(yīng)晶體管 (FinFET) 是一種多柵極器件，一種 MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管），構(gòu)建在基板上，柵極位于通道的兩個(gè)、三個(gè)或四個(gè)側(cè)面或環(huán)繞溝道，形成雙柵甚至多柵結(jié)構(gòu)。

FiNFET

FinFET 代表鰭形場效應(yīng)晶體管，鰭場效應(yīng)晶體管是一種 3D 晶體管架構(gòu)，它使用從源極到漏極的凸起通道（“鰭”）。FinFET 在小于 20nm 的技術(shù)節(jié)點(diǎn)上取代了 CMOS。例如，英特爾的三柵極晶體管是一種 FinFET。與體平面工藝相比，F(xiàn)inFET 提供了許多優(yōu)點(diǎn)和幾個(gè)關(guān)鍵缺點(diǎn)。優(yōu)點(diǎn)包括增加了級(jí)聯(lián)共柵等電路的電壓裕量、降低了柵極電阻，這有助于控制閃爍噪聲，以及改進(jìn)的匹配、更高的電流驅(qū)動(dòng)和更高的增益。作 為晶體管，它是放大器和開關(guān)。其應(yīng)用包括家用電腦、筆記本電腦、平板電腦、智能手機(jī)、可穿戴設(shè)備、高端網(wǎng)絡(luò)、汽車等。

GAAFET

全柵(GAA) FET，縮寫為GAAFET ，是一種改進(jìn)的晶體管結(jié)構(gòu)，在概念上與 FinFET 相似，只是柵極材料在所有側(cè)面都圍繞溝道區(qū)。根據(jù)設(shè)計(jì)，全柵 FET 可以有兩個(gè)或四個(gè)有效柵極。

雙柵晶體管和三柵晶體管

       雙柵極 MOSFET 是一種具有兩個(gè)柵極的 MOSFET - 它們可用于在漏極和柵極之間提供額外的隔離，并用作射頻應(yīng)用的混頻器。

三柵晶體管因柵極有三邊而得名。傳統(tǒng)的“平面”二維平面柵極被一個(gè)非常薄的三維硅鰭取代，該鰭從硅襯底垂直上升。

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